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半導(dǎo)體存儲(chǔ)上游存儲(chǔ)晶圓市場(chǎng)由少數(shù)廠商主導(dǎo)及行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

存儲(chǔ)器是指利用磁性材料或半導(dǎo)體等材料作為介質(zhì)進(jìn)行信息存儲(chǔ)的器件，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器利用半導(dǎo)體介質(zhì)貯存電荷以實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)，存儲(chǔ)與讀取過(guò)程體現(xiàn)為電荷的貯存或釋放，半導(dǎo)體存儲(chǔ)是集成電路的重要分支。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照是否需要持續(xù)通電以維持?jǐn)?shù)據(jù)分為易失性存儲(chǔ)（VM）和非易失性存儲(chǔ)（NVM）。

2、全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在波動(dòng)中呈現(xiàn)總體增長(zhǎng)趨勢(shì)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為電子系統(tǒng)的基本組成部分，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最為廣泛的電子器件之一。隨著現(xiàn)代電子信息系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)出貨量持續(xù)大幅增長(zhǎng)，另一方面，由于存儲(chǔ)晶圓制程基本按照摩爾定律不斷取得突破，單位存儲(chǔ)成本在長(zhǎng)期曲線中呈現(xiàn)單邊下降趨勢(shì)，市場(chǎng)的總體規(guī)模在短期供需波動(dòng)中總體保持長(zhǎng)期增長(zhǎng)趨勢(shì)。

資料來(lái)源：WSTS、普華有策

相關(guān)報(bào)告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2021-2027年半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)細(xì)分市場(chǎng)調(diào)研及投資可行性分析報(bào)告》

3、半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈特征

半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈形態(tài)與邏輯芯片產(chǎn)業(yè)有所不同。第一，在晶圓領(lǐng)域，邏輯芯片產(chǎn)業(yè)從1990年代起，受降低成本和提升效率等要素驅(qū)動(dòng)，原來(lái)主流的IDM（設(shè)計(jì)-制造垂直整合）模式向產(chǎn)業(yè)鏈分工模式切換，F(xiàn)abless（設(shè)計(jì)）、Foundry（制造）、Test（測(cè)試）各環(huán)節(jié)開(kāi)始獨(dú)立，產(chǎn)業(yè)鏈縱向分化；而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器由于布圖設(shè)計(jì)與晶圓制造的技術(shù)結(jié)合更為緊密，半導(dǎo)體存儲(chǔ)兩大主流市場(chǎng)（DRAM與NAND Flash）中，主要晶圓廠均仍采用IDM模式經(jīng)營(yíng)。

第二，在晶圓到產(chǎn)品的應(yīng)用過(guò)程中，邏輯芯片由于目標(biāo)功能多樣，需要聚焦IC設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)目標(biāo)功能需求，SoC芯片設(shè)計(jì)與SiP封裝設(shè)計(jì)并舉；而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器核心功能即為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，存儲(chǔ)晶圓標(biāo)準(zhǔn)化程度高，核心功能通過(guò)IC設(shè)計(jì)和晶圓制造實(shí)現(xiàn)，應(yīng)用場(chǎng)景產(chǎn)生的客制化功能實(shí)現(xiàn)則移向產(chǎn)業(yè)鏈后端，主要在NAND Flash主控芯片設(shè)計(jì)、固件開(kāi)發(fā)以及SiP封裝等環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)。因此，邏輯芯片通過(guò)“Fabless設(shè)計(jì)+Foundry代工”已經(jīng)完成產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的核心周期；但對(duì)于存儲(chǔ)芯片，存儲(chǔ)IDM廠完成晶圓制造后，仍需開(kāi)發(fā)大量應(yīng)用技術(shù)以實(shí)現(xiàn)從標(biāo)準(zhǔn)化存儲(chǔ)晶圓到具體存儲(chǔ)產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化。部分存儲(chǔ)IDM廠憑借晶圓優(yōu)勢(shì)向下游存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域滲透，同時(shí)獨(dú)立的模組/產(chǎn)品供應(yīng)商（含品牌商）應(yīng)運(yùn)而生，組織存儲(chǔ)晶圓制成以后的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作，整合技術(shù)、資源和渠道，確保標(biāo)準(zhǔn)化存儲(chǔ)晶圓在不同應(yīng)用場(chǎng)景的適用性。

4、DRAM與NAND Flash是半導(dǎo)體存儲(chǔ)的主流市場(chǎng)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)中，DRAM和NAND Flash占據(jù)主導(dǎo)地位。DRAM作為一種高密度的易失性存儲(chǔ)器，能夠在存儲(chǔ)密度與讀寫速度之間取得良好平衡，主要用作CPU處理數(shù)據(jù)的臨時(shí)存儲(chǔ)裝置，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、個(gè)人電腦、服務(wù)器等主流應(yīng)用市場(chǎng)，隨著電子產(chǎn)品對(duì)即時(shí)響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)處理速度的要求不斷提高，隨著CPU升級(jí)迭代，DRAM器件的主流存儲(chǔ)容量亦持續(xù)擴(kuò)大。NAND Flash為大容量固態(tài)存儲(chǔ)提供了低功耗、高性能的解決方案，近年來(lái)隨著NAND Flash技術(shù)不斷發(fā)展，單位存儲(chǔ)成本的經(jīng)濟(jì)效益不斷優(yōu)化，應(yīng)用場(chǎng)景持續(xù)拓展，用戶需求不斷攀升，極為廣泛地應(yīng)用于各類電子信息系統(tǒng)。

DRAM與NAND Flash是半導(dǎo)體存儲(chǔ)的核心市場(chǎng)，兩者共同決定了全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)的波動(dòng)曲線。在長(zhǎng)期增長(zhǎng)的總體趨勢(shì)下，DRAM和NAND Flash的短期市場(chǎng)規(guī)模與產(chǎn)品價(jià)格受到晶圓技術(shù)迭代與產(chǎn)能投放、下游終端市場(chǎng)需求、渠道市場(chǎng)備貨，以及全球貿(mào)易環(huán)境等多重因素影響，供求平衡較為敏感。

5、半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈上游存儲(chǔ)晶圓市場(chǎng)由少數(shù)廠商主導(dǎo)

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈上游主要由存儲(chǔ)晶圓原廠、主控芯片廠等存儲(chǔ)產(chǎn)品零部件廠商構(gòu)成。存儲(chǔ)晶圓（顆粒）是存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)硬件，NAND Flash存儲(chǔ)器還需要主控芯片調(diào)度存儲(chǔ)顆粒與主系統(tǒng)的數(shù)據(jù)交換，確保存儲(chǔ)顆粒的性能發(fā)揮和系統(tǒng)兼容性。存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)與制造產(chǎn)業(yè)要求較高的技術(shù)和資本，早期進(jìn)入存儲(chǔ)器領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)通過(guò)巨額資本投入不斷積累市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，逐漸發(fā)展形成垂直整合經(jīng)營(yíng)模式（IDM）。全球存儲(chǔ)晶圓市場(chǎng)被韓國(guó)、美國(guó)和日本的少數(shù)企業(yè)主導(dǎo)。國(guó)際領(lǐng)先的存儲(chǔ)原廠憑借多年技術(shù)積累，不斷提升晶圓制程以提高單位面積的存儲(chǔ)密度和降低存儲(chǔ)芯片功耗，隨著制程工藝不斷逼近極限，芯片設(shè)計(jì)與晶圓制造的研發(fā)門檻不斷提高，研發(fā)資本投入不斷增加。同時(shí)，主要存儲(chǔ)原廠還需通過(guò)持續(xù)大額資本支出來(lái)投放成熟制程產(chǎn)能，維持規(guī)模優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)份額。

技術(shù)路線方面，NAND Flash技術(shù)發(fā)展的核心議題是提升存儲(chǔ)密度。主要存儲(chǔ)原廠在激烈競(jìng)爭(zhēng)中不斷提升NAND Flash存儲(chǔ)密度。目前，存儲(chǔ)密度提升的主要技術(shù)路徑包括提高存儲(chǔ)單元的可存儲(chǔ)數(shù)位（bit）量和提升3D NAND Flash的堆疊層數(shù)。

根據(jù)每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的可存儲(chǔ)數(shù)位量，NAND Flash分為SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-level Cell）為每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)只有1位，即只有0/1兩種狀態(tài)，而MLC（Multi-level Cell）、TLC（Triple-level Cell）和QLC（Quad-LevelCell）每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)分別為2位、3位與4位。SLC單位容量的成本相對(duì)于其他類型NAND Flash成本更高，但其數(shù)據(jù)保留時(shí)間更長(zhǎng)、讀取速度更快；QLC擁有最大的容量和更低的成本，但由于其可靠性相對(duì)較低、壽命相對(duì)較短等缺點(diǎn)，目前主流的解決方案仍為MLC與TLC。

傳統(tǒng)NAND Flash為平面閃存（2D NAND），3D NAND使用多層垂直堆疊技術(shù)，擁有更大容量、更低功耗、更優(yōu)耐用性以及更低成本的優(yōu)勢(shì)。三星電子2013年率先開(kāi)發(fā)出可以商業(yè)化應(yīng)用的3D結(jié)構(gòu)（24-Layer MLC VNAND），此后主要原廠在3D NAND領(lǐng)域持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)，不斷增加堆疊層數(shù)以提升存儲(chǔ)密度。2020年3D NAND高端先進(jìn)制程進(jìn)入176層階段。

6、產(chǎn)業(yè)鏈中游存儲(chǔ)產(chǎn)品企業(yè)與存儲(chǔ)品牌企業(yè)推動(dòng)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)晶圓的產(chǎn)品化

半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈中游為存儲(chǔ)產(chǎn)品供應(yīng)商和品牌商，中游存儲(chǔ)產(chǎn)品企業(yè)與存儲(chǔ)品牌企業(yè)推動(dòng)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)晶圓的產(chǎn)品化，是半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈承上啟下的重要環(huán)節(jié)。由于半導(dǎo)體存儲(chǔ)應(yīng)用場(chǎng)景極為豐富，不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)器的參數(shù)需求豐富多樣，而存儲(chǔ)晶圓是高度標(biāo)準(zhǔn)化的電子元器件。獨(dú)立的存儲(chǔ)產(chǎn)品供應(yīng)商和品牌商立足下游細(xì)分市場(chǎng)，通過(guò)在應(yīng)用技術(shù)、市場(chǎng)渠道、品牌信譽(yù)等方面打造獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，面向行業(yè)用戶、個(gè)人消費(fèi)市場(chǎng)的應(yīng)用需求提供具有針對(duì)性的存儲(chǔ)產(chǎn)品與解決方案。存儲(chǔ)原廠依托在晶圓資源方面的優(yōu)勢(shì)亦向產(chǎn)業(yè)鏈下游滲透，推出自有品牌的終端產(chǎn)品。但是存儲(chǔ)原廠的競(jìng)爭(zhēng)核心與重心在于創(chuàng)新晶圓IC設(shè)計(jì)與提升晶圓制程，在產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，囿于產(chǎn)品化成本等要素限制，原廠僅能聚焦具有大宗數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的行業(yè)和客戶（如智能手機(jī)、個(gè)人電腦及服務(wù)器行業(yè)的頭部客戶）。

存儲(chǔ)原廠的目標(biāo)市場(chǎng)之外，仍存在極為廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景和市場(chǎng)需求，包括細(xì)分行業(yè)存儲(chǔ)需求（如工業(yè)控制、商用設(shè)備、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、家用電器、影像監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)硬件等）以及主流應(yīng)用市場(chǎng)中小客戶的需求。存儲(chǔ)產(chǎn)品企業(yè)聚焦存儲(chǔ)行業(yè)主流應(yīng)用市場(chǎng)，增強(qiáng)客制化存儲(chǔ)器的可獲得性，推動(dòng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)覆蓋范圍的下沉和市場(chǎng)規(guī)模的增長(zhǎng)。中小需求盡管每單貨量小于大宗需求，但是客戶群體數(shù)量極多，應(yīng)用范圍極廣。存儲(chǔ)產(chǎn)品企業(yè)面向下游細(xì)分行業(yè)客戶的客制化參數(shù)需求，自主篩選和匹配晶圓、開(kāi)發(fā)固件算法、設(shè)計(jì)硬件架構(gòu)、自主設(shè)計(jì)集成封裝方案并委托封測(cè)企業(yè)進(jìn)行封裝測(cè)試、提供后端的本土技術(shù)支持。存儲(chǔ)產(chǎn)品企業(yè)通過(guò)研發(fā)前述環(huán)節(jié)涉及的應(yīng)用技術(shù)并組織產(chǎn)業(yè)鏈資源將標(biāo)準(zhǔn)化存儲(chǔ)晶圓轉(zhuǎn)化為客制化存儲(chǔ)產(chǎn)品，擴(kuò)展了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的應(yīng)用場(chǎng)景，提升了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在各類應(yīng)用場(chǎng)景的適用性。

成功的存儲(chǔ)產(chǎn)品企業(yè)亦在存儲(chǔ)晶圓產(chǎn)品化的過(guò)程中形成品牌聲譽(yù)，推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品企業(yè)塑造自身的品牌形象，進(jìn)而鞏固其市場(chǎng)地位并改善利潤(rùn)空間，推動(dòng)其增加研發(fā)投入，形成良性循環(huán)。

7、行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

（1）數(shù)據(jù)量幾何增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期持續(xù)增長(zhǎng)

近年來(lái)，消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)、互聯(lián)網(wǎng)經(jīng)濟(jì)、網(wǎng)絡(luò)通信等工業(yè)市場(chǎng)、IoT產(chǎn)業(yè)應(yīng)用成為存儲(chǔ)行業(yè)下游的重要應(yīng)用市場(chǎng)，智能手機(jī)、平板電腦、智能盒子等消費(fèi)電子的升級(jí)換代，將維持存儲(chǔ)芯片的旺盛需求；傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)，大型復(fù)雜工業(yè)控制系統(tǒng)的自動(dòng)化、智能化升級(jí)下，工控設(shè)備開(kāi)發(fā)將加速對(duì)存儲(chǔ)芯片需求的提升；5G通訊、智能零售、汽車電子、智能安防、人工智能等應(yīng)用場(chǎng)景的持續(xù)拓展，進(jìn)一步豐富了存儲(chǔ)芯片的應(yīng)用領(lǐng)域，同時(shí)也對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)提出了更嚴(yán)格的要求，而高性能、低成本的存儲(chǔ)器正是滿足此新興市場(chǎng)需求的關(guān)鍵。下游終端市場(chǎng)的存量升級(jí)與新興應(yīng)用市場(chǎng)的涌現(xiàn)將會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器形成旺盛的增量需求，助力存儲(chǔ)行業(yè)保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。

（2）國(guó)內(nèi)行業(yè)市場(chǎng)開(kāi)放帶來(lái)的新機(jī)會(huì)

國(guó)家發(fā)布《促進(jìn)大數(shù)據(jù)發(fā)展行動(dòng)綱要》和部署的經(jīng)濟(jì)工作重點(diǎn)任務(wù)中，“要強(qiáng)化國(guó)家戰(zhàn)略科技力量，發(fā)揮新型舉國(guó)體制優(yōu)勢(shì)”居于首位。堅(jiān)持需求牽引、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)、軟硬結(jié)合、重點(diǎn)突破、開(kāi)放發(fā)展的原則，發(fā)揮政府主導(dǎo)作用，將行業(yè)市場(chǎng)主動(dòng)開(kāi)放給中國(guó)企業(yè)，引導(dǎo)中國(guó)企業(yè)把握中國(guó)市場(chǎng)商業(yè)機(jī)會(huì)，投入技術(shù)研發(fā)，推動(dòng)中國(guó)信息產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)突破和整體提升。

政府推動(dòng)的信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)是針對(duì)中國(guó)企業(yè)的信息產(chǎn)業(yè)鏈。從最上游的半導(dǎo)體材料到核心芯片、元器件、基礎(chǔ)軟件，再到整機(jī)、應(yīng)用軟件，最后到系統(tǒng)集成和最終客戶。政務(wù)辦公、事業(yè)單位，金融、電信、能源、電力、醫(yī)療、教育、交通、公共事業(yè)等關(guān)鍵行業(yè)，開(kāi)放產(chǎn)業(yè)從個(gè)人電腦整機(jī)提升到數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，帶來(lái)的存儲(chǔ)（嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤及內(nèi)存條等）商業(yè)機(jī)會(huì)眾多，市場(chǎng)空間廣闊。

第一章 2016-2020年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展概述

第一節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈分析

一、產(chǎn)業(yè)鏈模型原理介紹

二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈條分析

第二節(jié)、中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)分析

一、主要上游產(chǎn)業(yè)供給情況分析

二、2021-2027年主要上游產(chǎn)業(yè)供給預(yù)測(cè)分析

三、主要上游產(chǎn)業(yè)價(jià)格分析

四、2021-2027年主要上游產(chǎn)業(yè)價(jià)格預(yù)測(cè)分析

五、主要下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

六、主要下游產(chǎn)業(yè)規(guī)模分析

七、主要下游產(chǎn)業(yè)價(jià)格分析

八、2021-2027年主要下游產(chǎn)業(yè)前景預(yù)測(cè)分析

第二章全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀分析

第一節(jié) 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展規(guī)模分析

第二節(jié)全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)區(qū)域分布情況

第三節(jié) 亞洲半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)地區(qū)市場(chǎng)分析

一、亞洲半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀分析

二、亞洲半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模與市場(chǎng)需求分析

三、2021-2027年亞洲半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)前景預(yù)測(cè)分析

第四節(jié) 北美半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)地區(qū)市場(chǎng)分析

一、北美半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀分析

二、北美半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模與市場(chǎng)需求分析

三、2021-2027年北美半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)前景預(yù)測(cè)分析

第五節(jié) 歐洲半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)地區(qū)市場(chǎng)分析

一、歐洲半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀分析

二、歐洲半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模與市場(chǎng)需求分析

三、2021-2027年歐洲半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)前景預(yù)測(cè)分析

第六節(jié) 其他地區(qū)分析

第七節(jié) 2021-2027年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)規(guī)模預(yù)測(cè)

第三章中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境分析

第一節(jié) 中國(guó)宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境分析及預(yù)測(cè)

第二節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)政策環(huán)境分析

第三節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)社會(huì)環(huán)境發(fā)展分析

第四節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)環(huán)境分析

第四章 2016-2020年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)運(yùn)行情況

第一節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展因素分析

一、半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)有利因素分析

二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)穩(wěn)定因素分析

三、半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)不利因素分析

第二節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模分析

第三節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)供應(yīng)情況分析

第四節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)需求情況分析

第五節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)供需平衡分析

第六節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析

第七節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)主要進(jìn)入壁壘分析

第八節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)細(xì)分市場(chǎng)分析

一、A市場(chǎng)用半導(dǎo)體存儲(chǔ)

1、2016-2020年行業(yè)發(fā)展概況

2、2016-2020年需求規(guī)模

3、2021-2027年需求前景預(yù)測(cè)

二、B市場(chǎng)用半導(dǎo)體存儲(chǔ)

1、2016-2020年行業(yè)發(fā)展概況

2、2016-2020年需求規(guī)模

3、2021-2027年需求前景預(yù)測(cè)

三、C市場(chǎng)用半導(dǎo)體存儲(chǔ)

1、2016-2020年行業(yè)發(fā)展概況

2、2016-2020年需求規(guī)模

3、2021-2027年需求前景預(yù)測(cè)

四、D領(lǐng)域用半導(dǎo)體存儲(chǔ)

1、2016-2020年行業(yè)發(fā)展概況

2、2016-2020年需求規(guī)模

3、2021-2027年需求前景預(yù)測(cè)

五、E領(lǐng)域用半導(dǎo)體存儲(chǔ)

1、2016-2020年行業(yè)發(fā)展概況

2、2016-2020年需求規(guī)模

3、2021-2027年需求前景預(yù)測(cè)

第五章中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)運(yùn)行數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)

第一節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)總體規(guī)模分析

第二節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)產(chǎn)銷與費(fèi)用分析

一、行業(yè)產(chǎn)成品分析

二、行業(yè)銷售收入分析

三、行業(yè)總資產(chǎn)負(fù)債率分析

四、行業(yè)利潤(rùn)規(guī)模分析

五、行業(yè)總產(chǎn)值分析

六、行業(yè)銷售成本分析

七、行業(yè)銷售費(fèi)用分析

八、行業(yè)管理費(fèi)用分析

九、行業(yè)財(cái)務(wù)費(fèi)用分析

第三節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)財(cái)務(wù)指標(biāo)分析

一、行業(yè)盈利能力分析

二、行業(yè)償債能力分析

三、行業(yè)營(yíng)運(yùn)能力分析

四、行業(yè)發(fā)展能力分析

第六章 2016-2020年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)格局分析

第一節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)集中度分析

一、中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)集中度分析

二、中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)區(qū)域集中度分析

第三節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)存在的問(wèn)題及對(duì)策

第四節(jié) 中外半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力分析

第五節(jié)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析

第七章中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)價(jià)格走勢(shì)分析

第一節(jié) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)價(jià)格影響因素分析

第二節(jié) 2016-2020年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)價(jià)格現(xiàn)狀分析

第三節(jié) 2021-2027年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)價(jià)格走勢(shì)預(yù)測(cè)

第八章 2016-2020年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)區(qū)域市場(chǎng)現(xiàn)狀分析

第一節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)區(qū)域市場(chǎng)規(guī)模分布

第二節(jié) 中國(guó)華東地半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)分析

一、華東地區(qū)概述

二、華東地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)供需情況及規(guī)模分析

三、2021-2027年華東地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)

第三節(jié) 華中地區(qū)市場(chǎng)分析

一、華中地區(qū)概述

二、華中地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)供需情況及規(guī)模分析

三、2021-2027年華中地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)

第四節(jié) 華南地區(qū)市場(chǎng)分析

一、華南地區(qū)概述

二、華南地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)供需情況及規(guī)模分析

三、2021-2027年華南地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)

第五節(jié) 華北地區(qū)市場(chǎng)分析

一、華北地區(qū)概述

二、華北地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)供需情況及規(guī)模分析

三、2021-2027年華北地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)

第六節(jié) 東北地區(qū)市場(chǎng)分析

一、東北地區(qū)概述

二、東北地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)供需情況及規(guī)模分析

三、2021-2027年?yáng)|北地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)

第七節(jié) 西北地區(qū)市場(chǎng)分析

一、西北地區(qū)概述

二、西北地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)供需情況及規(guī)模分析

三、2021-2027年西北地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)

第八節(jié) 西南地區(qū)市場(chǎng)分析

一、西南地區(qū)概述

二、西南地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)供需情況及規(guī)模分析

三、2021-2027年西南地區(qū)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)

第九章 2016-2020年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)情況

第一節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)構(gòu)分析

一、現(xiàn)有企業(yè)間競(jìng)爭(zhēng)

二、潛在進(jìn)入者分析

三、替代品威脅分析

四、供應(yīng)商議價(jià)能力

五、客戶議價(jià)能力

第二節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)SWOT分析

一、行業(yè)優(yōu)勢(shì)分析

二、行業(yè)劣勢(shì)分析

三、行業(yè)機(jī)會(huì)分析

四、行業(yè)威脅分析

第十章半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)分析

第一節(jié) 企業(yè)

一、企業(yè)概況

二、企業(yè)主營(yíng)產(chǎn)品