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半導(dǎo)體分立器件行業(yè)利潤(rùn)及技術(shù)水平分析（附報(bào)告目錄）

1、半導(dǎo)體分立器件行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，國(guó)內(nèi)廠商在中低端分立器件產(chǎn)品的技術(shù)水平、生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品品質(zhì)上已有很大提升，但在部分高端產(chǎn)品領(lǐng)域仍與國(guó)外廠商有較大的差距。由于國(guó)外公司控制著核心技術(shù)、關(guān)鍵元器件、關(guān)鍵設(shè)備、品牌和銷(xiāo)售渠道，國(guó)內(nèi)銷(xiāo)售的高端半導(dǎo)體功率器件仍舊依賴(lài)海外進(jìn)口。面對(duì)廣闊的市場(chǎng)前景，國(guó)內(nèi)廠商在技術(shù)水平和市場(chǎng)份額的提升上仍有較大的開(kāi)拓空間。我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)起步較晚，近年來(lái)在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的鼓勵(lì)和行業(yè)技術(shù)水平不斷提升等多重利好因素推動(dòng)下，行業(yè)內(nèi)部分企業(yè)以國(guó)外先進(jìn)技術(shù)發(fā)展為導(dǎo)向，逐步形成了以自主創(chuàng)新、突破技術(shù)壟斷、替代進(jìn)口為特點(diǎn)的發(fā)展模式。半導(dǎo)體分立器件行業(yè)內(nèi)，新潔能等部分企業(yè)掌握了 MOSFET、IGBT 等產(chǎn)品的核心技術(shù)，通過(guò)產(chǎn)品的高性?xún)r(jià)比不斷提高市場(chǎng)占有率，在與國(guó)外廠商的競(jìng)爭(zhēng)中逐步形成了自身的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

相關(guān)報(bào)告北京普華有策信息咨詢(xún)有限公司《2020-2026年半導(dǎo)體分立器件行業(yè)深度調(diào)研及投資戰(zhàn)略咨詢(xún)報(bào)告》

2、行業(yè)利潤(rùn)水平趨勢(shì)及原因

（1）變動(dòng)趨勢(shì)

近年來(lái)，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)平均利潤(rùn)水平總體上呈現(xiàn)平穩(wěn)波動(dòng)態(tài)勢(shì)，在不同應(yīng)用領(lǐng)域及細(xì)分市場(chǎng)行業(yè)利潤(rùn)水平則存在著結(jié)構(gòu)性差異。一般而言，在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，低端產(chǎn)品行業(yè)進(jìn)入門(mén)檻較低，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)較為充分，導(dǎo)致該領(lǐng)域產(chǎn)品行業(yè)利潤(rùn)水平相對(duì)較低。而在新興細(xì)分市場(chǎng)以及中高端半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)，由于產(chǎn)品技術(shù)含量高，產(chǎn)品在技術(shù)、客戶(hù)積累以及資金投入等方面具有較高的進(jìn)入壁壘，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)程度相對(duì)較低，行業(yè)內(nèi)部分優(yōu)質(zhì)企業(yè)憑借自身技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)鏈完善、質(zhì)量管理等綜合優(yōu)勢(shì)，能夠在該領(lǐng)域獲得較高的利潤(rùn)率水平。

（2）變動(dòng)原因

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的利潤(rùn)水平主要受到宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)和下游行業(yè)景氣度、以及行業(yè)技術(shù)水平等因素的綜合影響。

宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)及下游行業(yè)景氣程度方面。半導(dǎo)體分立器件作為基礎(chǔ)性元器件，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)電子等廣泛的下游行業(yè)。宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)則直接影響該等行業(yè)的整體發(fā)展?fàn)顩r，從而傳導(dǎo)至對(duì)半導(dǎo)體分立器件的需求的變化，進(jìn)而影響半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的利潤(rùn)水平。

行業(yè)技術(shù)水平方面。半導(dǎo)體分立器件行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，行業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè)能獲取較高的利潤(rùn)回報(bào)、技術(shù)水平含量較高的產(chǎn)品也一般具有較高的附加值。行業(yè)內(nèi)具有自身研發(fā)技術(shù)優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)的企業(yè)，能夠憑借自身的創(chuàng)新能力和產(chǎn)品控制能力，不斷推出適應(yīng)市場(chǎng)需求、可量產(chǎn)化的領(lǐng)先產(chǎn)品，從而維持較高的毛利率。

3、行業(yè)的技術(shù)水平及技術(shù)特點(diǎn)

（1）行業(yè)技術(shù)水平

半導(dǎo)體分立器件的技術(shù)涉及了微電子、半導(dǎo)體物理、材料學(xué)、電子線(xiàn)路等諸多學(xué)科、多領(lǐng)域，不同學(xué)科、領(lǐng)域知識(shí)的結(jié)合促進(jìn)行業(yè)交叉邊緣新技術(shù)的不斷發(fā)展。隨著終端應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品的整體技術(shù)水平要求越來(lái)越高，半導(dǎo)體分立器件技術(shù)也在市場(chǎng)的推動(dòng)下不斷向前發(fā)展，新材料、低損耗高可靠性器件結(jié)構(gòu)理論、高功率密度的芯片制造與封裝工藝技術(shù)已應(yīng)用到分立器件生產(chǎn)中，行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品的技術(shù)含量日益提高、設(shè)計(jì)及制造難度也相應(yīng)增大。

目前在日本和美國(guó)等發(fā)達(dá)國(guó)家的半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域，MOSFET、IGBT 等產(chǎn)品已采用大功率集成電路等微細(xì)加工工藝進(jìn)行制作，生產(chǎn)線(xiàn)已大量采用 8 英寸、0.18 微米工藝技術(shù)，極大提高了半導(dǎo)體分立器件的性能，從而促使其產(chǎn)品鏈不斷延伸和拓寬。發(fā)達(dá)國(guó)家現(xiàn)代半導(dǎo)體分立器件向大功率、易驅(qū)動(dòng)、低能耗和高頻化方向發(fā)展，同時(shí)，新型產(chǎn)品如 SiC、GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件陸續(xù)被研發(fā)面世，并開(kāi)始產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，應(yīng)用領(lǐng)域也滲透到能源技術(shù)、智能制造、激光技術(shù)和軍事科技等前沿領(lǐng)域。發(fā)達(dá)國(guó)家憑借其巨大優(yōu)勢(shì)，引領(lǐng)著半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，并成為產(chǎn)品和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的制定者。

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、技術(shù)水平和創(chuàng)新能力與國(guó)外存在較大的差距。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件整體技術(shù)水平相對(duì)落后，以功率二極管、功率三極管、晶閘管和中低端 MOSFET 等產(chǎn)品為主，部分高端技術(shù)產(chǎn)品仍大量依賴(lài)進(jìn)口。通過(guò)對(duì)國(guó)際先進(jìn)技術(shù)的持續(xù)引進(jìn)、消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)企業(yè)在技術(shù)水平、生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品質(zhì)量等方面已接近國(guó)際先進(jìn)水平，并憑借其成本、區(qū)域優(yōu)勢(shì)逐步實(shí)現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)品的進(jìn)口替代。未來(lái)，隨著技術(shù)水平的提升、高端人才的引進(jìn)以及管理經(jīng)驗(yàn)的積累，國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)企業(yè)有望進(jìn)一步對(duì)國(guó)外企業(yè)形成競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，占據(jù)更大的市場(chǎng)空間。

（2）行業(yè)技術(shù)特點(diǎn)

a、對(duì)持續(xù)創(chuàng)新能力要求高

半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域存在著摩爾定律，行業(yè)整體產(chǎn)品性能逐年快速提升決定了行業(yè)內(nèi)企業(yè)一旦落后就有可能被淘汰，只有對(duì)半導(dǎo)體分立器件技術(shù)進(jìn)行持續(xù)不斷的更新升級(jí)，才能在行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中占有一席之地。此外，半導(dǎo)體分立器件的下游應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋面廣，終端產(chǎn)品發(fā)展迅速，應(yīng)用需求不斷變化以及技術(shù)水平不斷提高推動(dòng)了行業(yè)內(nèi)企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新改進(jìn)。半導(dǎo)體分立器件企業(yè)為適應(yīng)不同下游應(yīng)用領(lǐng)域及標(biāo)準(zhǔn)的要求，需要在產(chǎn)品種類(lèi)、產(chǎn)品材料、工藝技術(shù)等方面不斷尋求新的解決方案。在發(fā)展過(guò)程中，行業(yè)形成了以功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT 以及 SiC、GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體分立器件為代表的多層次產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，每種產(chǎn)品也在應(yīng)用中不斷突破原有技術(shù)瓶頸，派生出眾多規(guī)格和型號(hào)。

b、對(duì)生產(chǎn)工藝要求嚴(yán)格

半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品在下游領(lǐng)域的很多產(chǎn)品內(nèi)部發(fā)揮著重要作用。行業(yè)內(nèi)企業(yè)在通過(guò)客戶(hù)認(rèn)證后保證產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性是其維持與客戶(hù)長(zhǎng)期合作關(guān)系的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體分立器件制造的工藝鏈較長(zhǎng)，對(duì)刻蝕、光刻、氧化等工藝的均勻性、一致性要求很高，尤其是背面減薄、金屬化等特殊工序有特殊的生產(chǎn)工藝要求。

此外，封裝測(cè)試環(huán)節(jié)亦對(duì)器件整體電學(xué)性能、可靠性和質(zhì)量有著重要影響，對(duì)于這種多工藝環(huán)節(jié)的產(chǎn)品，先進(jìn)成熟的工藝是降低過(guò)程產(chǎn)品不良率和提升產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性的關(guān)鍵。成熟的生產(chǎn)工藝和精益化的生產(chǎn)理念需要企業(yè)經(jīng)歷多年工藝摸索和經(jīng)驗(yàn)積累，并在生產(chǎn)實(shí)踐中貫徹執(zhí)行；對(duì)于研發(fā)設(shè)計(jì)企業(yè)來(lái)說(shuō)，不僅需要在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段提出工藝文件等核心技術(shù)文檔，還需要通過(guò)與代工廠不斷溝通、確認(rèn)以共同克服工藝難點(diǎn)，從而保證產(chǎn)品的整體性能和質(zhì)量。

4、有利因素

（1）國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策大力支持

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是我國(guó)支柱產(chǎn)業(yè)之一，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。發(fā)展我國(guó)半導(dǎo)體分立器件相關(guān)產(chǎn)業(yè)，提升國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件研發(fā)生產(chǎn)能力是我國(guó)成為世界半導(dǎo)體制造強(qiáng)國(guó)的必由之路。國(guó)家有關(guān)部門(mén)出臺(tái)了《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》等多項(xiàng)政策為半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的發(fā)展提供了政策保障，明確了發(fā)展方向。此外，《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》等多項(xiàng)政策亦明確了半導(dǎo)體分立器件的地位和范圍，提出了要重點(diǎn)發(fā)展MOSFET和IGBT功率器件的要求。國(guó)家相關(guān)政策的出臺(tái)有利于半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模的增長(zhǎng)，并進(jìn)一步促進(jìn)了半導(dǎo)體分立器件行業(yè)健康、穩(wěn)定和有序的發(fā)展。

（2）下游行業(yè)市場(chǎng)需求廣闊

下游應(yīng)用市場(chǎng)的需求變動(dòng)對(duì)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的發(fā)展具有較大的牽引及驅(qū)動(dòng)作用。近年來(lái)，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、智能手機(jī)、平板電腦等新技術(shù)和新產(chǎn)品的爆發(fā)性增長(zhǎng)推動(dòng)了消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)分立器件產(chǎn)品的大規(guī)模需求。汽車(chē)電子、工業(yè)電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域的穩(wěn)步增長(zhǎng)也給分立器件產(chǎn)品提供了穩(wěn)定的市場(chǎng)需求。未來(lái)，受益于國(guó)家經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級(jí)以及新能源、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的應(yīng)用，新能源汽車(chē)/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等下游市場(chǎng)將催生出大量的產(chǎn)品需求。此外，下游應(yīng)用領(lǐng)域終端產(chǎn)品的更新?lián)Q代及科技進(jìn)步引致的新產(chǎn)品問(wèn)市也為半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品需求提供了強(qiáng)有力支撐。下游行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)為半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的發(fā)展提供了廣闊的市場(chǎng)空間。

（3）行業(yè)整體技術(shù)水平不斷提升

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)為技術(shù)密集型行業(yè)，行業(yè)整體的技術(shù)水平較高。隨著先進(jìn)技術(shù)在下游行業(yè)的創(chuàng)新應(yīng)用，半導(dǎo)體分立器件的技術(shù)水平也不斷進(jìn)步，特別是適用性強(qiáng)、功率密度高、能耗低以及新型材料分立器件不斷出現(xiàn)。我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)經(jīng)過(guò)近十年的技術(shù)積累，已經(jīng)出現(xiàn)了能夠研發(fā)生產(chǎn)高技術(shù)、高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件的企業(yè)，領(lǐng)先企業(yè)越來(lái)越多的參與到全球半導(dǎo)體分立器件供應(yīng)體系中。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的整體技術(shù)水平有了顯著提升。芯片設(shè)計(jì)是分立器件產(chǎn)業(yè)鏈中對(duì)研發(fā)實(shí)力要求很高的環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)已有少數(shù)企業(yè)的技術(shù)實(shí)力逐步趕上國(guó)際主流分立器件企業(yè)。隨著芯片設(shè)計(jì)行業(yè)技術(shù)水平革新?lián)Q代速度的加快，只有保持一定的研發(fā)投入和具備較高研發(fā)實(shí)力的企業(yè)才能保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，在下游需求的快速增長(zhǎng)中占據(jù)較高的市場(chǎng)地位。

（4）進(jìn)口替代效應(yīng)不斷凸顯

半導(dǎo)體分立器件起源于歐美，日韓后續(xù)不斷形成其自身競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）等國(guó)際一流半導(dǎo)體制造企業(yè)長(zhǎng)期占據(jù)著我國(guó)半導(dǎo)體分立器件的高端應(yīng)用市場(chǎng)，但該等廠商產(chǎn)品的價(jià)格十分高昂，無(wú)法滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)迅速爆發(fā)的市場(chǎng)需求，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)市場(chǎng)供求存在失衡。近年來(lái)，我國(guó)政府不斷出臺(tái)多項(xiàng)鼓勵(lì)政策，大力扶持半導(dǎo)體行業(yè)。

隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步參與到全球半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)的供應(yīng)體系，以及下游行業(yè)大力創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步積累了較為豐富的半導(dǎo)體研發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，部分優(yōu)秀企業(yè)參與到中高端半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)，并取得了一定的知名度和市場(chǎng)占有率。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2017年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件進(jìn)口金額為281.8億美元，相較于2014年進(jìn)口額下降了10.20%。未來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步突破行業(yè)高端產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件對(duì)進(jìn)口的依賴(lài)將會(huì)進(jìn)一步減弱，進(jìn)口替代效應(yīng)將顯著增強(qiáng)。

5、不利因素

（1）受經(jīng)濟(jì)周期的影響較大

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的發(fā)展與宏觀經(jīng)濟(jì)走勢(shì)密切相關(guān)。半導(dǎo)體是最基礎(chǔ)的電子器件，產(chǎn)業(yè)的終端應(yīng)用需求面較廣，因而其需求容易受到經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的影響。宏觀經(jīng)濟(jì)的增長(zhǎng)放緩或下滑等不利因素將會(huì)導(dǎo)致下游行業(yè)需求減少，也將導(dǎo)致半導(dǎo)體分立器件企業(yè)收入的波動(dòng)。近幾年，全球經(jīng)濟(jì)仍處在危機(jī)后調(diào)整期，地緣政治危機(jī)不斷擾動(dòng)全球經(jīng)濟(jì)。我國(guó)經(jīng)濟(jì)亦由高速增長(zhǎng)向中高速增長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，經(jīng)濟(jì)的結(jié)構(gòu)性調(diào)整特征十分明顯，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)受宏觀經(jīng)濟(jì)波動(dòng)影響將日益明顯。

（2）高端產(chǎn)品技術(shù)實(shí)力仍然薄弱

目前，國(guó)內(nèi)在高端分立器件的研發(fā)實(shí)力和生產(chǎn)工藝等方面與國(guó)外廠商仍存在較大的差距。在研發(fā)設(shè)計(jì)方面，國(guó)內(nèi)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高端半導(dǎo)體分立器件的關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)計(jì)能力的優(yōu)質(zhì)企業(yè)較少；在生產(chǎn)能力方面，國(guó)內(nèi)形成了一定的高端封裝測(cè)試能力，但在芯片產(chǎn)品制造方面，國(guó)內(nèi)尚未形成高端半導(dǎo)體分立器件生產(chǎn)能力。因此，國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品上的技術(shù)實(shí)力仍然較為薄弱。

（3）行業(yè)生產(chǎn)要素成本上行壓力較大

半導(dǎo)體分立器件的上游供應(yīng)商主要為晶圓材料企業(yè)、芯片代工企業(yè)和封測(cè)服務(wù)企業(yè)，晶圓材料和芯片制造僅有國(guó)內(nèi)外少數(shù)企業(yè)生產(chǎn)，前十大芯片代工企業(yè)供應(yīng)了極大的市場(chǎng)分額，市場(chǎng)具有相對(duì)壟斷的特點(diǎn)。當(dāng)芯片代工整體供不應(yīng)求時(shí)，行業(yè)內(nèi)企業(yè)在采購(gòu)芯片代工時(shí)往往屬于價(jià)格接受者。如果其市場(chǎng)價(jià)格出現(xiàn)波動(dòng)，將對(duì)半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)成本產(chǎn)生較大影響。目前，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的原輔料、人工、設(shè)備、能源和經(jīng)營(yíng)場(chǎng)地等主要生產(chǎn)要素價(jià)格普遍呈上漲趨勢(shì)。雖然專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體分立器件企業(yè)一直通過(guò)提升工藝水平及提高設(shè)備使用效率等方式來(lái)降低成本，但生產(chǎn)要素價(jià)格的普遍上漲仍將給企業(yè)帶來(lái)較大的成本壓力。